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  • 2025

    2-23

    愛丁堡分子光譜在光伏領域的具體應用主要包括以下幾個方面:一、材料性質表征1、帶隙檢測:通過分子光譜測試手段,如穩(wěn)態(tài)瞬態(tài)熒光光譜儀等,可以精確測量光伏材料的帶隙。帶隙是決定光伏材料吸收光能范圍和光電轉換效率的關鍵因素之一,準確測定帶隙有助于篩選和優(yōu)化適合特定波段太陽光吸收的光伏材料,提高電池對光能的利用率。2、載流子遷移率分析:能夠研究光伏材料中載流子的遷移特性。載流子遷移率影響著光生載流子在材料中的傳輸速度和效率,進而影響電池的光電轉換性能和電流輸出。通過對分子光譜的分析,可...

  • 2025

    1-17

    卡爾蔡司電子顯微鏡以其分辨率而著稱,能夠觀察到納米級別的微觀結構。例如,蔡司場發(fā)射掃描電子顯微鏡Sigma500的分辨率超過0.8nm,這使得它能夠提供極其清晰的圖像,對于研究細胞結構、材料科學等領域具有重要意義。電子顯微鏡采用先進的Gemini光學系統(tǒng)設計,這種設計利用了低壓成像技術,提高了圖像的對比度和清晰度。此外,該系統(tǒng)還配備了多種檢測器選項,適用于不同類型的樣品和分析需求。電子顯微鏡具備智能化的操作界面,簡化了設置和分析過程。例如,Sigma300和Sigma500都...

  • 2025

    1-10

    超高場磁共振技術,作為醫(yī)學影像領域的一項革命性技術,近年來得到了迅速的發(fā)展和廣泛的應用。它不僅極大地提高了醫(yī)學影像的分辨率和診斷的準確性,而且在基礎醫(yī)學研究和臨床應用中都顯示出了巨大的潛力。近日,北京瑞科中儀科技有限公司榮幸受邀參加了由北京航空航天大學舉辦的超高場磁共振產學研醫(yī)高峰論壇,這標志著該公司在該領域的技術實力和行業(yè)地位得到了學術界和產業(yè)界的認可。超高場磁共振技術的核心在于其使用的磁場強度遠高于傳統(tǒng)磁共振成像(MRI)設備。磁場強度的增加使得成像的信號更強,信噪比更高...

  • 2024

    12-22

    蔡司透射電鏡以其分辨率、穩(wěn)定性和可靠性,成為了全球科研人員和工程師的理想工具。它利用電子束作為“探針”,穿透超薄的樣品,揭示出內部結構的細微之處,讓人類得以窺見微觀世界的真面目。1、高分辨率:蔡司電鏡的點分辨率高達亞納米級別,能夠清晰地觀察到晶體結構、細胞組織乃至單個分子的形態(tài)與分布,為材料科學、生物學、醫(yī)學等領域的研究提供了強有力的支持。2、穩(wěn)定性與可靠性:采用先進的電子光學系統(tǒng)和穩(wěn)定的電源供應,確保了長時間觀測過程中圖像的清晰度和穩(wěn)定性,減少了實驗誤差,提高了研究效率。3...

  • 2024

    11-24

    ZEISS掃描顯微鏡(SEM)是一種利用電子束掃描樣品表面,通過收集產生的二次電子和背散射電子來獲得樣品表面形貌和成分信息的重要科研工具。以下是使用掃描電子顯微鏡的基本操作步驟:一、樣品制備1、固定與處理:確保樣品表面平整、干燥,并進行必要的導電性處理(如蒸鍍導電層)。2、放置樣品:將處理好的樣品固定在樣品臺上,注意高度和位置,避免損傷樣品室內的探測器。二、設備啟動1、檢查環(huán)境:確保實驗室電源、真空、循環(huán)水等狀態(tài)正常。2、開啟電源:按照設備說明書順序開啟SEM各部件電源,包括...

  • 2024

    10-25

    橢偏儀的測量精度受到多種因素的影響,這些因素共同決定了其在薄膜和材料特性分析中的準確性。以下是對測量精度影響因素的具體介紹:一、樣品表面狀態(tài)1、表面光潔度:表面的光滑程度直接影響光的反射和散射,從而影響橢偏儀的測量精度。2、背面粗糙度:樣品背面的粗糙度會增加非相干反射,使得擬合過程變得復雜,進而影響測量精度。二、樣品物理性質1、厚度:樣品的厚度需要控制在適宜范圍內,通常為1~3mm,以確保測量結果的準確性。2、光學常數:樣品的折射率和消光系數會影響橢偏參數的測量,因此需要精確...

  • 2024

    10-25

    北京瑞科中儀,作為納米技術解決方案提供商,榮幸受邀參加于近期舉辦的第十四屆中國國際納米技術產業(yè)博覽會。此次盛會匯聚了來自世界各地的納米技術專家、學者和企業(yè)代表,共同探討納米科技的最新發(fā)展和應用前景。在博覽會上,北京瑞科中儀展示了其在納米材料、納米制造和納米檢測等領域的最新研究成果和創(chuàng)新產品。公司展臺前人頭攢動,吸引了眾多專業(yè)人士和觀眾駐足觀看和交流。瑞科中儀的展臺,以簡潔明快的布局展示了公司的核心技術和產品。其中,納米復合材料因其優(yōu)異的性能和廣泛的應用前景,成為展會的一大亮點...

  • 2024

    9-22

    電子束光刻技術,作為納米制造領域的一項關鍵技術,以其高分辨率和精準的控制能力在半導體、納米材料及生物芯片等領域中發(fā)揮著至關重要的作用。下面旨在詳細解析國產電子束光刻的工藝流程,包括其前期準備、曝光過程、以及后期處理等步驟,幫助讀者全面了解這一制造技術的具體實施過程。一、前期準備1、樣品準備:首先需保證樣品表面清潔且平整,通常采用硅片等材質作為基底。通過清洗、氧化、涂覆抗蝕劑等步驟預處理樣品,確保樣品表面達到電子束光刻所需的標準。2、設備校準:對國產電子束光刻設備進行精確校準,...

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