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金屬熱蒸鍍設(shè)備

簡要描述：金屬熱蒸鍍設(shè)備：熱蒸發(fā)是物理氣相沉積（PVD）中常用方法，也是PVD簡單的形式之一。使用電加熱的蒸發(fā)源可用於沉積大多數(shù)的有機和無機薄膜，其中以電阻式加熱法最為常見的。

  • 產(chǎn)品型號：
  • 廠商性質(zhì)：經(jīng)銷商
  • 更新時間：2024-07-10
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詳細介紹

品牌其他品牌應(yīng)用領(lǐng)域環(huán)保,化工,電子/電池

金屬熱蒸鍍設(shè)備

熱蒸發(fā)是物理氣相沉積（PVD）中常用方法，也是PVD簡單的形式之一。使用電加熱的蒸發(fā)源可用於沉積大多數(shù)的有機和無機薄膜，其中以電阻式加熱法最為常見的。這些蒸發(fā)源的優(yōu)點為它們可以提供一種簡單的薄膜沉積方法，以電流通過其容納材料的舟為方式，從而加熱材料。當(dāng)沉積材料的蒸氣壓超過真空室的溫度時，材料將開始蒸發(fā)並沉積到基板上。

SYSKEY金屬熱蒸鍍設(shè)備的熱蒸發(fā)可以精準的控制蒸發(fā)速度，且薄膜的厚度和均勻度小於+/- 3％。

離子源可用於基板清潔和加速材料的蒸發(fā)速度，並且離子源在材料沉積過程中可幫助沉積並使沉積後的薄膜更為緻密。

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應(yīng)用領(lǐng)域腔體

  • 金屬材料研究。

  • 奈米薄膜。

  • 太陽能電池。

 

  • 客製化的腔體尺寸取決於基板尺寸

    和其應(yīng)用。

  • 寬大的前開式門，並有兩個視窗和

    視窗遮版用於觀察基材和蒸發(fā)源。

  • 腔體的極限真空度約為10-8 Torr。

配置和優(yōu)點選件

  • 客製化的基板尺寸，最大直徑為12寸

    晶圓或470 x 370 mm2(玻璃)。

  • 寬大的前開式門，並有兩個視窗和

    視窗遮版用於觀察基材和蒸發(fā)源。

  • 優(yōu)異的薄膜均勻度小於±3％。

  • 具有順序操作或共沉積的多個蒸發(fā)源。

  • 基板可加熱到800°C。

  • 利用載臺旋轉(zhuǎn)來改善薄膜沉積之品質(zhì)。

  • 基板至蒸發(fā)源之間距為可調(diào)式的。

  • 每個蒸發(fā)源和基材均有安裝遮板。

  • 可以與傳送腔、機械手臂和手套

    箱整合在一起。

  • 結(jié)合離子源、濺鍍槍、電子束、

    等離子清潔...。

  • 基板冷卻。

  • 殘留氣體分析儀。


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